Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.05mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,166
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,201
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5
€ 0,166
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,201
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.05mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas