Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,20
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,242
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
€ 0,20
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,242
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,20 | € 9,98 |
500 - 950 | € 0,084 | € 4,20 |
1000 - 2450 | € 0,058 | € 2,89 |
2500 - 4950 | € 0,051 | € 2,57 |
5000+ | € 0,045 | € 2,26 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas