Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
960 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm
P.O.A.
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

P.O.A.
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
960 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm