Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
2.38mm
Transistor Material
Si
Aukštis
6.22mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,52
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 3,05
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1
€ 2,52
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 3,05
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 14 | € 2,52 |
15+ | € 0,94 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
2.38mm
Transistor Material
Si
Aukštis
6.22mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas