Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Plotis
2.38mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
6.22mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,045
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 1,264
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
€ 1,045
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 1,264
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Plotis
2.38mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
6.22mm
Produkto aprašymas