Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
ThunderFET
Pakuotės tipas
PowerPAK 1212-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Aukštis
1.12mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1 909,50
€ 0,636 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2 310,50
€ 0,77 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 1 909,50
€ 0,636 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2 310,50
€ 0,77 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
ThunderFET
Pakuotės tipas
PowerPAK 1212-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Aukštis
1.12mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas