Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
69.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Aukštis
1.12mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,903
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,093
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,903
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,093
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
69.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Aukštis
1.12mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Produkto aprašymas