Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
4.9mm
Plotis
5.89mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.04mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,914
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,106
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5
€ 0,914
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,106
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,914 | € 4,57 |
50 - 245 | € 0,869 | € 4,35 |
250 - 495 | € 0,64 | € 3,20 |
500 - 1245 | € 0,596 | € 2,98 |
1250+ | € 0,53 | € 2,65 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
4.9mm
Plotis
5.89mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.04mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas