Vishay Dual P-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
2
Ilgis
5mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
41.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.55mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 70,30
€ 0,703 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 85,06
€ 0,851 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
€ 70,30
€ 0,703 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 85,06
€ 0,851 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,703 | € 14,06 |
| 200 - 480 | € 0,596 | € 11,92 |
| 500 - 980 | € 0,554 | € 11,08 |
| 1000+ | € 0,53 | € 10,60 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
2
Ilgis
5mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
41.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.55mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products