Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
126 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,21
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,254
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,21
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,254
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
126 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C