Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,04
už 1 vnt. (be PVM)
€ 1,26
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 1,04
už 1 vnt. (be PVM)
€ 1,26
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 1,04 |
10 - 49 | € 0,94 |
50 - 99 | € 0,88 |
100 - 249 | € 0,80 |
250+ | € 0,74 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas