Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
HVMDIP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Plotis
6.29mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
3.37mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,73
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 3,30
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
1
€ 2,73
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 3,30
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 19 | € 2,73 |
20 - 24 | € 0,71 |
25 - 49 | € 0,63 |
50+ | € 0,57 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
HVMDIP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Plotis
6.29mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
3.37mm
Produkto aprašymas