Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

€ 0,89
€ 0,89 už 1 vnt. (be PVM)
€ 1,08
€ 1,08 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 0,89
€ 0,89 už 1 vnt. (be PVM)
€ 1,08
€ 1,08 už 1 vnt. (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 0,89 |
10 - 49 | € 0,81 |
50 - 99 | € 0,78 |
100 - 249 | € 0,68 |
250+ | € 0,63 |

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
