Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
DTMOSIV
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
165 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
5.02mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Aukštis
20.95mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 15,20
€ 3,04 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 18,39
€ 3,678 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 15,20
€ 3,04 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 18,39
€ 3,678 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,04 | € 15,20 |
25 - 45 | € 2,755 | € 13,78 |
50+ | € 2,518 | € 12,59 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
DTMOSIV
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
165 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
5.02mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Aukštis
20.95mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas