Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
DTMOSIV
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
4.5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Aukštis
15mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
MOSFET Transistors, Toshiba
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 5,70
€ 1,14 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 6,90
€ 1,379 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 5,70
€ 1,14 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 6,90
€ 1,379 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,14 | € 5,70 |
25 - 45 | € 0,75 | € 3,75 |
50 - 120 | € 0,731 | € 3,65 |
125 - 245 | € 0,713 | € 3,57 |
250+ | € 0,694 | € 3,47 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
DTMOSIV
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
4.5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Aukštis
15mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas