Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
207 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.45mm
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15.1mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 97,38
€ 1,948 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 117,83
€ 2,357 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

€ 97,38
€ 1,948 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 117,83
€ 2,357 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
207 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.45mm
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15.1mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas