Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
0.3 to 0.75mA
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-346 (SC-59)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
2.9mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,152
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,184
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
€ 0,152
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,184
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
0.3 to 0.75mA
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-346 (SC-59)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
2.9mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.