Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
16.51mm
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,465
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 5,403
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
€ 4,465
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 5,403
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 24 | € 4,465 | € 8,93 |
26+ | € 3,61 | € 7,22 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
16.51mm
Produkto aprašymas