Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Plotis
5.8mm
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
2.3mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,236
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,285
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,236
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,285
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Plotis
5.8mm
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
2.3mm