Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
800 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
25 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Minimum DC Current Gain
250
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.1 x 4.1 x 4.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
Taiwan, Province Of China
Produkto aprašymas
General Purpose NPN Transistors, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,062
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,075
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
4000
€ 0,062
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,075
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
800 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
25 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Minimum DC Current Gain
250
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.1 x 4.1 x 4.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
Taiwan, Province Of China
Produkto aprašymas