Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
MDmesh, SuperMESH
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
880 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
113 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Aukštis
20.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 6,08
€ 6,08 už 1 vnt. (be PVM)
€ 7,36
€ 7,36 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 6,08
€ 6,08 už 1 vnt. (be PVM)
€ 7,36
€ 7,36 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 6,08 |
10 - 99 | € 5,13 |
100 - 499 | € 4,13 |
500 - 999 | € 3,66 |
1000+ | € 3,14 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
MDmesh, SuperMESH
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
880 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
113 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Aukštis
20.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas