Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
STripFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.25mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,374
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,452
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,374
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,452
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
STripFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.25mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C