Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Pakuotės tipas
D2PAK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Aukštis
4.37mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,94
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,557
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 2,94
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,557
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 2,94 | € 14,70 |
50 - 95 | € 2,52 | € 12,60 |
100 - 245 | € 2,205 | € 11,02 |
250 - 495 | € 2,048 | € 10,24 |
500+ | € 1,838 | € 9,19 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Pakuotės tipas
D2PAK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Aukštis
4.37mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China