Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
18 V
Pakuotės tipas
SOT-89
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-0.5 V, +15 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.6mm
Plotis
2.6mm
Aukštis
1.6mm
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 29,00
€ 2,90 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 35,09
€ 3,509 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 29,00
€ 2,90 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 35,09
€ 3,509 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
10 - 20 | € 2,90 | € 14,50 |
25 - 95 | € 2,75 | € 13,75 |
100 - 495 | € 2,20 | € 11,00 |
500+ | € 1,95 | € 9,75 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
18 V
Pakuotės tipas
SOT-89
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-0.5 V, +15 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.6mm
Plotis
2.6mm
Aukštis
1.6mm
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.