Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
9.15mm
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,472
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,781
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
€ 1,472
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,781
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,472 | € 7,36 |
25 - 45 | € 1,425 | € 7,12 |
50 - 120 | € 1,282 | € 6,41 |
125 - 245 | € 1,14 | € 5,70 |
250+ | € 1,092 | € 5,46 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
9.15mm
Produkto aprašymas