Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Pakuotės tipas
TO-39
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
10 W
Maximum Collector Base Voltage
450 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Matmenys
9.4 x 9.4 x 6.6mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Pakuotės tipas
TO-39
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
10 W
Maximum Collector Base Voltage
450 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Matmenys
9.4 x 9.4 x 6.6mm