Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum DC Current Gain
30
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
350 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
2 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,85
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 1,029
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,85
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 1,029
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,85 | € 42,52 |
100 - 450 | € 0,596 | € 29,82 |
500 - 950 | € 0,518 | € 25,88 |
1000+ | € 0,438 | € 21,89 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum DC Current Gain
30
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
350 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
2 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.28 x 4.82 x 15.75mm