Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
10 (Peak) A, 6 (Continuous) A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
15
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
400µA
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Aukštis
15.75mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Base Current
2A
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,708
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,857
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,708
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,857
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,708 | € 35,39 |
100 - 450 | € 0,514 | € 25,70 |
500 - 950 | € 0,481 | € 24,04 |
1000+ | € 0,47 | € 23,51 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
10 (Peak) A, 6 (Continuous) A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
15
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
400µA
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Aukštis
15.75mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Base Current
2A
Kilmės šalis
China