Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
5 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,664
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,803
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,664
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,803
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,664 | € 33,18 |
100 - 450 | € 0,482 | € 24,10 |
500 - 950 | € 0,442 | € 22,10 |
1000+ | € 0,432 | € 21,58 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
5 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Kilmės šalis
China