Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
5 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
200
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V dc
Aukštis
15.75mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
80 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,43
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,52
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,43
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,52
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
5 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
200
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V dc
Aukštis
15.75mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
80 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Kilmės šalis
China