Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Continuous Collector Current
35 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20.0V
Number of Transistors
6
Pakuotės tipas
DIP26
Configuration
3 Phase
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 79,32
€ 79,32 už 1 vnt. (be PVM)
€ 95,98
€ 95,98 už 1 vnt. (su PVM)
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
1

€ 79,32
€ 79,32 už 1 vnt. (be PVM)
€ 95,98
€ 95,98 už 1 vnt. (su PVM)
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Continuous Collector Current
35 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20.0V
Number of Transistors
6
Pakuotės tipas
DIP26
Configuration
3 Phase
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N