Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
163 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
NVD5C434N
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
117 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
80.6 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
2.38mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,995
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 2,414
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 1,995
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 2,414
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
163 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
NVD5C434N
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
117 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
80.6 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
2.38mm
Produkto aprašymas