Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,081
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,098
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50
€ 0,081
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,098
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
50 - 100 | € 0,081 | € 4,04 |
150 - 250 | € 0,038 | € 1,90 |
300 - 550 | € 0,035 | € 1,76 |
600 - 1150 | € 0,034 | € 1,71 |
1200+ | € 0,034 | € 1,71 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas