Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-7 to -60mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
125 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
11pF
Source Gate On-Capacitance
11pF
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,212
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,257
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25
€ 0,212
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,257
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,212 | € 5,30 |
100 - 225 | € 0,122 | € 3,04 |
250 - 475 | € 0,112 | € 2,81 |
500 - 975 | € 0,105 | € 2,62 |
1000+ | € 0,089 | € 2,23 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-7 to -60mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
125 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
11pF
Source Gate On-Capacitance
11pF
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.