Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
5 to 30mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
14pF
Source Gate On-Capacitance
14pF
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,099
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,12
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,099
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,12
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
5 to 30mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
14pF
Source Gate On-Capacitance
14pF
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.