Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Power Dissipation
1.56 W
Matmenys
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Produkto aprašymas
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,253
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,306
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,253
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,306
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Power Dissipation
1.56 W
Matmenys
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Produkto aprašymas
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.