Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
15 W
Minimum DC Current Gain
10
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Kaiščių skaičius
4
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
6.73 x 2.38 x 6.22mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,524
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 0,634
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
€ 0,524
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 0,634
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
75 - 75 | € 0,524 | € 39,30 |
150 - 450 | € 0,37 | € 27,72 |
525 - 975 | € 0,306 | € 22,92 |
1050+ | € 0,257 | € 19,29 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
15 W
Minimum DC Current Gain
10
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Kaiščių skaičius
4
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
6.73 x 2.38 x 6.22mm