Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 10 V
Plotis
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Aukštis
0.75mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,785
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 2,16
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 1,785
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 2,16
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,785 | € 17,85 |
100 - 490 | € 1,732 | € 17,32 |
500 - 990 | € 1,68 | € 16,80 |
1000 - 2990 | € 1,68 | € 16,80 |
3000+ | € 1,628 | € 16,28 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 10 V
Plotis
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Aukštis
0.75mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Produkto aprašymas