Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
154 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
16.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,048
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,478
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 2,048
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,478
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
154 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
16.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China