Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
181 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Aukštis
20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,518
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 4,257
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
€ 3,518
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 4,257
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
181 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Aukštis
20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China