Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,105
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,127
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
2000
€ 0,105
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,127
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
2000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
2000 - 2000 | € 0,105 | € 210,00 |
4000 - 8000 | € 0,103 | € 205,80 |
10000 - 14000 | € 0,098 | € 195,30 |
16000 - 18000 | € 0,094 | € 189,00 |
20000+ | € 0,093 | € 186,90 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C