Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 17mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
3pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 436,05
€ 0,145 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 527,62
€ 0,176 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 436,05
€ 0,145 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 527,62
€ 0,176 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 17mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
3pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.