Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
0.6 to 1.5mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
200 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,235
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,284
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
€ 0,235
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,284
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,235 | € 23,52 |
200 - 400 | € 0,203 | € 20,26 |
500 - 900 | € 0,185 | € 18,48 |
1000 - 1900 | € 0,167 | € 16,70 |
2000+ | € 0,16 | € 15,96 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
0.6 to 1.5mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
200 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.