Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
10 A
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Pakuotės tipas
TO-220F-3FS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
25 W
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.16 x 4.7 x 15.87mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,76
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,92
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,76
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,92
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,76 | € 38,01 |
500 - 950 | € 0,633 | € 31,66 |
1000+ | € 0,617 | € 30,87 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
10 A
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Pakuotės tipas
TO-220F-3FS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
25 W
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.16 x 4.7 x 15.87mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of