Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Kaiščių skaičius
4
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
P.O.A.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10
P.O.A.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Kaiščių skaičius
4
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.28 x 4.82 x 15.75mm