Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
167 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.29mm
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.83mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,785
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 2,16
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 1,785
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 2,16
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 18 | € 1,785 | € 3,57 |
20 - 38 | € 1,155 | € 2,31 |
40 - 98 | € 1,155 | € 2,31 |
100 - 498 | € 1,155 | € 2,31 |
500+ | € 1,102 | € 2,20 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
167 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.29mm
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.83mm