Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
4 → 10mA
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,148
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,179
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
100
€ 0,148
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,179
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,148 | € 14,80 |
500 - 2400 | € 0,14 | € 13,96 |
2500 - 5900 | € 0,116 | € 11,55 |
6000 - 11900 | € 0,099 | € 9,87 |
12000+ | € 0,082 | € 8,19 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
4 → 10mA
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.