Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
33 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Aukštis
15.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,258
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,732
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 2,258
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,732
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,258 | € 112,88 |
100 - 200 | € 1,732 | € 86,62 |
250 - 450 | € 1,68 | € 84,00 |
500 - 950 | € 1,47 | € 73,50 |
1000+ | € 1,26 | € 63,00 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
33 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Aukštis
15.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China