Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
200 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
1.1pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,413
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,50
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
€ 0,413
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,50
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,413 | € 20,63 |
250 - 450 | € 0,38 | € 19,00 |
500 - 1200 | € 0,356 | € 17,80 |
1250 - 2450 | € 0,328 | € 16,38 |
2500+ | € 0,302 | € 15,12 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
200 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
1.1pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.