Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
16 A
Maximum Collector Emitter Voltage
140 V
Pakuotės tipas
TO-204
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
150 W
Maximum Collector Base Voltage
160 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
8.51 x 39.37 x 26.67mm
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
16 A
Maximum Collector Emitter Voltage
140 V
Pakuotės tipas
TO-204
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
150 W
Maximum Collector Base Voltage
160 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
8.51 x 39.37 x 26.67mm
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C